“NV”是“Nitrogen Vacancy”的缩写，意思是“氮气空位”


    英语缩略词“NV”经常作为“Nitrogen Vacancy”的缩写来使用，中文表示：“氮气空位”。本文将详细介绍英语缩写词NV所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词NV的分类、应用领域及相关应用示例等。
    “NV”（“氮气空位）释义
  • 英文缩写词：NV
  • 英文单词：Nitrogen Vacancy
  • 缩写词中文简要解释：氮气空位
  • 中文拼音：dàn qì kòng wèi
  • 缩写词流行度：167
  • 缩写词分类：Academic & Science
  • 缩写词领域：Physics

    以上为Nitrogen Vacancy英文缩略词NV的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
     英文缩略词NV的扩展资料
  1. At the same time, in the subsurface of the silicon wafer, the nitrogen and vacancy concentration is much lower, hence, no oxygen precipitate is formed in the zone, which is so-called denuded zone.
        而在硅片近表面区域，由于外扩散导致空位的浓度很低，使得氧沉淀无法形成，从而形成洁净区。
  2. When the boron ( nitrogen ) - vacancy complex defects locate on the edge of the zigzag graphene nanoribbon, these complex defects have changed the electronic and optical properties of the graphene nanoribbons distinctly.
        对于硼（氮）空位复合缺陷位于边缘的锯齿型石墨烯纳米带，这些复合缺陷很明显地改变了石墨烯纳米带的电子学和光学性能。
  3. The boron ( nitrogen ) - vacancy complex defects near the edge of the graphene nanoribbon affect the geometry and electronic structures of the graphene nanoribbon distinctly.
        对于邻近石墨烯纳米带边缘的硼（氮）空位复合缺陷结构对石墨烯纳米带的几何结构和能带结构有较大影响。
  4. When the vacancy and nitrogen coexist in the silicon, once the vacancy concentration is high while the nitrogen concentration is low, the enhancement of vacancy is superior to that of nitrogen on oxygen precipitation;
        当空位和氮同时存在时，若空位浓度较高而氮浓度较低，则以空位对氧沉淀的促进作用为主。

    上述内容是“Nitrogen Vacancy”作为“NV”的缩写，解释为“氮气空位”时的信息，以及英语缩略词NV所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
    
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