| 释义 |
英语缩略词“LDD”经常作为“Lightly Doped Drain”的缩写来使用，中文表示：“轻掺杂漏极”。本文将详细介绍英语缩写词LDD所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词LDD的分类、应用领域及相关应用示例等。
“LDD”（“轻掺杂漏极）释义 - 英文缩写词：LDD
- 英文单词：Lightly Doped Drain
- 缩写词中文简要解释：轻掺杂漏极
- 中文拼音：qīng chān zá lòu jí
- 缩写词流行度：5422
- 缩写词分类：Academic & Science
- 缩写词领域：Electronics
以上为Lightly Doped Drain英文缩略词LDD的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词LDD的扩展资料-
The lightly doped drain MOSFET made basically by domestic equipment has been described.
本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOSFET。
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Investigation of the Lightly Doped Drain(LDD) ( LDD ) MOSFET Technology
轻掺杂漏（LDD）MOSFET工艺研究
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A new structure of gate_modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate_induced drain_leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it.
在进一步的研究中，设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区（GMLDD）结构，有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题。
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The tested results indicated that the lightly doped drain MOSFET can resist the hot carrier effect and short channel effect effectively, and havs a fast speed.
测试结果表明，轻掺杂漏MOSFET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应，速度也较快。
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For the purpose of reducing off-state current, lightly doped drain ( LDD ) structures were used in a p-Si TFT LCD.
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题，采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏，增加晶体管的开关电流比值。
上述内容是“Lightly Doped Drain”作为“LDD”的缩写，解释为“轻掺杂漏极”时的信息，以及英语缩略词LDD所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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