| 释义 |
英语缩略词“ISD”经常作为“Interface State Density”的缩写来使用，中文表示：“界面状态密度”。本文将详细介绍英语缩写词ISD所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词ISD的分类、应用领域及相关应用示例等。
“ISD”（“界面状态密度）释义 - 英文缩写词：ISD
- 英文单词：Interface State Density
- 缩写词中文简要解释：界面状态密度
- 中文拼音：jiè miàn zhuàng tài mì dù
- 缩写词流行度：1299
- 缩写词分类：Academic & Science
- 缩写词领域：Electronics
以上为Interface State Density英文缩略词ISD的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词ISD的扩展资料-
An effective way of decreasing bulk electron trap density and interface state density is put forward.
提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。
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The effect of interface state charges on the threshold voltage, drain current, transconductance and field-effect mobility of n-channel SiC MOSFET is analyzed with numerical method by establishing the model of the interface state density exponential distribution.
建立界面态密度的指数分布模型，用数值方法较为详细的分析了界面态电荷对n沟MOSFET器件阈值，漏电流，跨导和场效应迁移率的影响。
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The effect of interface state charges on the field effect mobility of n channel 6H SiC MOSFET is analyzed based on the nonuniform distribution of interface state density in the energy gap.
针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，分析了界面态电荷对n沟6H碳化硅MOSFET场效应迁移率的影响。
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A Direct Display Method for Measuring MOS Interface State Density(ISD) Distribution
MOS系统界面态密度分布的一种直接显示法
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In this paper the series resistance for silicon MIS / IL solar cells related with the thickness of evaporated SiO coating, the fixed positive charge density in the coating and the interface state density has been indicated.
本文讨论了MIS/IL太阳电池的串联电阻与蒸发SiO膜厚度、膜中的固定正电荷密度、界面态密度之间的关系。
上述内容是“Interface State Density”作为“ISD”的缩写，解释为“界面状态密度”时的信息，以及英语缩略词ISD所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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