释义 |
英语缩略词“IBE”经常作为“Ion Beam Etching”的缩写来使用,中文表示:“离子束刻蚀”。本文将详细介绍英语缩写词IBE所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词IBE的分类、应用领域及相关应用示例等。 “IBE”(“离子束刻蚀)释义 - 英文缩写词:IBE
- 英文单词:Ion Beam Etching
- 缩写词中文简要解释:离子束刻蚀
- 中文拼音:lí zǐ shù kè shí
- 缩写词流行度:6104
- 缩写词分类:Academic & Science
- 缩写词领域:Electronics
以上为Ion Beam Etching英文缩略词IBE的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词IBE的扩展资料-
Si concave microlenses array Ar ion beam etching.
标签Si凹微透镜阵列氩离子束刻蚀(IBE)。
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The16-step Fresnel lens had been fabricated by thin film deposition and ion beam etching and it has been used in refractive-diffractive CCD camera.
使用薄膜沉积法和离子束刻蚀(IBE)法制作16阶菲涅耳透镜,应用于折衍混合CCD相机。
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Study on step sidewall tilt in ion beam etching of Fresnel lens
离子束刻蚀(IBE)过程中台阶侧壁倾斜现象研究
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Acceptable Error of Etching Depth in Ion Beam Etching(IBE) Microlens
离子束蚀刻微透镜中蚀刻深度允许误差的研究
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Fabrication of 128 × 128 Area Silicon Field Emission Arrays Using Ar Ion Beam Etching(IBE)
128×128元硅场发射阵列的氩离子束刻蚀(IBE)制作
上述内容是“Ion Beam Etching”作为“IBE”的缩写,解释为“离子束刻蚀”时的信息,以及英语缩略词IBE所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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