| 释义 |
英语缩略词“HEMT”经常作为“High Electron Mobility Transistor”的缩写来使用，中文表示：“高电子迁移率晶体管”。本文将详细介绍英语缩写词HEMT所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词HEMT的分类、应用领域及相关应用示例等。
“HEMT”（“高电子迁移率晶体管）释义 - 英文缩写词：HEMT
- 英文单词：High Electron Mobility Transistor
- 缩写词中文简要解释：高电子迁移率晶体管
- 中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn
- 缩写词流行度：18251
- 缩写词分类：Academic & Science
- 缩写词领域：Electronics
以上为High Electron Mobility Transistor英文缩略词HEMT的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词HEMT的扩展资料-
High electron mobility transistor
高电子迁移率晶体管(HEMT)
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Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobility transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)直流IV特性和小信号参数的解析模型。
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High electron mobility transistors ( High Electron MobilityTransistor ) as a field-effect transistor, have been widely used in communications, electronics and other fields, it has the characteristics of high-power, low-noise, high-frequency, high-speed.
而高电子迁移率晶体管(HEMT)（HighElectronMobilityTransistor）作为场效应晶体管中的一种，也开始广泛应用于通信、电子等领域，它具有大功率、低噪声、高频、高速等特点。
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The PHEMT ( pseudomorphic high electron mobility transistor ) device has outstanding high-frequency characteristics, power characteristics and low-noise characteristics, and it is one of the most competitions in the field of microwave and millimeter-wave monolithic integrated circuits.
PHEMT（赝匹配型高电子迁移率管）器件具有优异的高频特性、功率特性和低噪声特性，使之成为微波/毫米波单片集成电路领域中最有竞争力的有源器件之一。
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Development of Ka-Band High Electron Mobility Transistor(HEMT)
Ka波段高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制
上述内容是“High Electron Mobility Transistor”作为“HEMT”的缩写，解释为“高电子迁移率晶体管”时的信息，以及英语缩略词HEMT所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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