释义 |
英语缩略词“FN”经常作为“Fowler Nordheim”的缩写来使用,中文表示:“福勒-诺德海姆”。本文将详细介绍英语缩写词FN所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词FN的分类、应用领域及相关应用示例等。 “FN”(“福勒-诺德海姆)释义 - 英文缩写词:FN
- 英文单词:Fowler Nordheim
- 缩写词中文简要解释:福勒-诺德海姆
- 中文拼音:fú lè nuò dé hǎi mǔ
- 缩写词流行度:461
- 缩写词分类:Business
- 缩写词领域:Companies & Firms
以上为Fowler Nordheim英文缩略词FN的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词FN的扩展资料-
Typical field emission patterns of tungsten carbide thin film is observed, and its I V behavior and Fowler Nordheim(FN) plot is measured.
对碳化钨薄膜的场发射IV特性及FowlerNordheim曲线进行测量和计算;
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A method is proposed for measuring the effective electron mass in the gate oxide in a thin MOS structure by using the extrema of Fowler Nordheim(FN) tunneling current oscillations.
给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法。
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The field emission current density distribution over the tip surface was established using Fowler-Nordheim function, and the emission current over the single tip established by integrating the current density all over the single tip surface was 7 μ A.
由FowlerNordheim函数可得到尖锥表面的场致发射电流密度分布,对整个尖锥表面进行积分后得到了单个尖锥的场致发射电流约为7μA。
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Based on the Fowler-Nordheim tunneling theory, a model for carriers transport and recombine in organic bilayer light emitting diodes ( LEDs ) is presented.
以在高场作用下载流子对三角势垒的FowlerNordheim隧穿理论为基础,建立了双层有机电致发光器件载流子的输运与复合发光模型。
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The new memory cell is programmed by band to band tunneling induced hot electron ( BBHE ) injection method at the drain, and erased by Fowler Nordheim(FN) tunneling through the source region.
该结构采用带带隧穿热电子注入(BBHE)进行写编程,采用源极FowlerNordheim隧穿机制进行擦除。
上述内容是“Fowler Nordheim”作为“FN”的缩写,解释为“福勒-诺德海姆”时的信息,以及英语缩略词FN所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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