| 释义 |
英语缩略词“RHEED”经常作为“Reflection High-Energy Electron Diffraction”的缩写来使用，中文表示：“反射高能电子衍射”。本文将详细介绍英语缩写词RHEED所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词RHEED的分类、应用领域及相关应用示例等。
“RHEED”（“反射高能电子衍射）释义 - 英文缩写词：RHEED
- 英文单词：Reflection High-Energy Electron Diffraction
- 缩写词中文简要解释：反射高能电子衍射
- 中文拼音：fǎn shè gāo néng diàn zǐ yǎn shè
- 缩写词流行度：29518
- 缩写词分类：Academic & Science
- 缩写词领域：Electronics
以上为Reflection High-Energy Electron Diffraction英文缩略词RHEED的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词RHEED的扩展资料-
Analysis of reflection high-energy electron diffraction pattern during SrTiO_3 homoepitaxy
SrTiO3同质外延过程中的反射高能电子衍射(RHEED)图案分析
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The reflection high-energy electron diffraction ( RHEED ) mounted in the electron-cyclotron-resonance plasma-enhanced metal organic chemical vapor deposition ( ECR-PEMOCVD ) system designed by us was used to monitor the GaN growth process in-situ.
通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）系统上装配反射高能电子衍射(RHEED)仪（RHEED），对外延GaN生长过程进行原位监测。
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The use of reflection high-energy electron diffraction ( RHEED ) intensity oscillations has proven to be a powerful tool to understand growth mechanisms of GaAs, AlAs and AlGaAs in molecular beam epitaxy ( MBE ).
采用分子束外延技术，在GaAs衬底上生长GaAs，AlAs和AlGaAs时，实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。
上述内容是“Reflection High-Energy Electron Diffraction”作为“RHEED”的缩写，解释为“反射高能电子衍射”时的信息，以及英语缩略词RHEED所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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