| 释义 |
英语缩略词“S/D”经常作为“Source/Drain”的缩写来使用，中文表示：“源极/漏极”。本文将详细介绍英语缩写词S/D所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词S/D的分类、应用领域及相关应用示例等。
“S/D”（“源极/漏极）释义 - 英文缩写词：S/D
- 英文单词：Source/Drain
- 缩写词中文简要解释：源极/漏极
- 中文拼音：yuán jí lòu jí
- 缩写词分类：Academic & Science
- 缩写词领域：Electronics
以上为Source/Drain英文缩略词S/D的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
英文缩略词S/D的扩展资料-
Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobility transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流IV特性和小信号参数的解析模型。
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A new structure of gate_modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate_induced drain_leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it.
在进一步的研究中，设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区（GMLDD）结构，有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题。
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And the relationship between the source drain current and the split-gate voltage; and how to find the cut off voltage of the quasi-1D electron channel;
研究准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负偏压的关系，以找到分裂门的钳断点电压；
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From the quoted equation for the current between source and drain Ids of the sub-threshold MOSFET, the expression for the voltage between gate and source drain Vgs of the sub-threshold MOSFET is directly got and the temperature characteristic of Vgs is theoretically analyzed.
直接从亚阈值MOSFET漏源电流（即亚阈值电流）的方程中，得到亚阈值MOSFET栅源电压表达式，并分析其温度特性。
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Source drain Ohmic contacts and Schottky metal system is Ti / Al / Pt / Au and Pt / Au, respectively.
漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au，肖特基结金属为Pt/Au。
上述内容是“Source/Drain”作为“S/D”的缩写，解释为“源极/漏极”时的信息，以及英语缩略词S/D所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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